刻蚀设备成为芯片制造新核心
在半导体行业发展中，刻蚀设备的重要性正快速提升。英特尔高管指出，随着新型晶体管结构如GAAFET和CFET的普及，芯片制造的核心将从光刻技术转向刻蚀技术。这类三维结构需要更精密的横向材料去除能力，使刻蚀工艺变得尤为关键。
当前，刻蚀设备已与光刻机、薄膜沉积设备并称半导体制造三大核心，价值占比达21%。尤其在先进制程中，刻蚀步骤数量激增，从65nm到7nm制程，刻蚀步骤增长超300%，远高于光刻的30%。在3D NAND存储芯片中，刻蚀工序占比从25%升至50%以上，立体堆叠结构大幅提升了刻蚀技术的需求。
国内企业已取得突破性进展。中微公司专注介质刻蚀，其设备支持5nm以下制程，北方华创覆盖硅刻蚀等多领域，提供全链条解决方案，新锐企业屹唐半导体也跻身全球刻蚀设备前十。以后国产设备需在原子层刻蚀等尖端技术持续突破，以满足汽车电子、先进封装等多元场景需求。
